《炬丰科技-半导体工艺》硅和sio2的湿式化学蚀刻
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书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：硅和sio2的湿式化学蚀刻
编号：JFKJ-21-280
作者：炬丰科技
硅和二氧化硅的湿化学蚀刻
在微电子学与微细力学领域中作为衬底材料的应用最为广泛的是硅。硅不仅可以作为无源衬底材料使用，在涉及电子或机械组件时也可以作为有源元件的基础。如前所述，在制造所需图案时可以通过湿化学蚀刻技术实现。
腐蚀率
各向异性、绝对蚀刻速率和蚀刻的均匀性取决于两种缺陷
图 1- 9 展示了 晶体硅 在 KOH 溶液（左图） 和 TMAH 溶液（右图）中 （ 1 0 0 面 和 （ 1 1 0 面 的浓度及温度依赖性 刻蚀速率分布特性 。 硅 的 碱 性 刻 蚀 过 程 不仅 需 要 OH⁻ 离 子 的 参与 ，还与游 离 水 分 子 的 存 在 密 切 相 关 。 因此 ，当 碱 性溶 液 的 强度增 加时 ， 刻 蚀速 率 显著 下降 ， 并且 刻 蚀 后 Si 表 面 的 表面粗糙 度也随之 减 小 。
图120:(100)- Si和sio₂在TMAH溶液(左图)与KOH溶液(右图)中表现出刻蚀速率随浓度及温度变化的对比特性。 在TMAH溶液中观察到的现象表明：Si及sio₂材料的刻蚀速率均呈现出随TMAH浓度变化而达到峰值的特点，并由此形成了它们相对比值呈现局部极小值的现象的原因
合适的蚀刻面具 略
蚀刻设备 略
硅的刻蚀速率 略
Si: sio2的刻蚀选择性
图122:硅的蚀刻速率与室温下蚀刻混合物的HNO浓度的关系
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