《炬丰科技-半导体工艺》制造半导体的湿化学蚀刻技术

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：制造半导体的湿化学蚀刻技术

编号：JFKJ-21-376

半导体器件的制造技术实现了光电仪器、激光二极管和无线通信设备等的应用。此起于1947年三位科学家在贝尔实验室发明晶体管，并促使集成电路在大约十年后出现。半导体器件的发展不仅推动了计算技术与电子技术的进步。起源于1947年Bardeen、Brittain和Shockley在贝尔实验室发明晶体管，并促使Kilby和Noyce于大约十年后引入集成电路。这些突破使半导体器件在计算与电子领域带来了革命性的影响。

这些材料既不具有良好的绝缘性能也不具备良好的导电性 但它们却拥有独特的电气特性 因此通过调控掺杂剂浓度 可以显著改善其导电性能 由于电子设备向微型化和纳米尺度发展 集成电路制造必须遵循"摩尔定律"这一原则 即集成电路上的晶体管数量大约每两年呈指数级增长 随着技术进步 制造微纳级器件的核心技术在于对半导体材料进行等离子体蚀刻处理

介绍

These semiconductor materials, including InGaP and InGaAsSb, are of significant importance in the production of lighting devices, communication equipment, and various electronic devices. The fabrication of these devices is achieved through plasma etching, where electrically charged gas mixtures are subjected to both chemical reactions and physical impact during the etching process. In the plasma etching processes utilized for these applications, indium-based products exhibit relatively lower volatility compared to other semiconductor materials, often necessitating specialized techniques for their removal.

结论

该工艺采用H₂SO₄、H₂O₂以及去离子水混合液，在约8.6 Å/s的速度下从InGaP层中去除外延盖层的GaAs选择性湿蚀刻工艺已研发出。