《炬丰科技-半导体工艺》二氧化硅蚀刻标准操作程序
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书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：二氧化硅蚀刻标准操作程序
编号：JFKJ-21-201
作者：炬丰科技
1.目的和应用
特定化学物质（如缓冲氧化物）被用来进行二氧化硅在硅晶片上的蚀刻操作。这种特定化学物质被称为缓冲氧化蚀刻液。通过含有氟化铵的腐蚀性处理过程，在SiO₂表面上形成了一层原子平滑且高度有序致密的表面。鉴于该工艺中使用的酸类物质存在较高的健康风险，请务必指导用户严格按照操作规程进行操作，并提前查阅相关化学品的安全数据手册。
BOE / HF的三个主要用途是:
1)去除硅表面悬浮微结构的牺牲氧化层晶片。
2)去除图案硅片上多余的二氧化硅。
3)去除硅片上的原生寄生二氧化硅
- 40%的HF用于快速去除氧化物。
BOE工艺相较于其他工艺（BOE工艺），其对氧化物层的溶解速率较低；然而这种工艺却能够延缓光刻胶掩模的有效期较长的时间段；在实际应用中其溶解速率通常在30到80纳米每分钟之间波动
6)稀释HF蚀刻——比如5% HF——用于在大约30秒内去除天然氧化物。
BOE过程基于络合反应:
SiO_2 + 6 HF \rightarrow H_2SiF_6 + 2 H_2O其中H_2SiF_6溶于水]。此反应可在稀HF溶液环境中发生，并通过使用NH₄F作为缓冲剂来防止氟离子耗尽。此外也有相关研究指出这有助于减少光抗蚀剂对HF酸性环境的影响。无论是通过热氧化还是沉积形成的方式均可在特定条件下进行处理但相较于沉积膜而言其腐蚀速度更快且受温度氧化因素的影响较大
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