《炬丰科技-半导体工艺》臭氧溶剂清洗半导体晶片的方法
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书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：臭氧溶剂清洗半导体晶片的方法
编号：JFKJ-21-234
作者：炬丰科技
摘要
采用湿式工作台清洗硅片的技术，在上述方法中，晶圆可在预处理液（含碱或酸）中进行初步去污处理。随后进入第二阶段处理，在此阶段使用去离子水与臭氧复合溶液。其中，臭氧浓度通常控制在1至20 ppm范围内，在实际操作中建议维持在3至10 ppm之间以获得最佳效果。在此基础上完成漂洗后，在最终漂洗前可选用稀释的氢氟酸预处理步骤以有效去除硅表面可能存在的氧化物。
发明背景
在半导体器件制造过程中，制造硅片时所需去离子水的数量较大。当晶圆尺寸增大时，则对去离子水的需求量显著增加。举例来说，在实际生产中可以观察到这样的情况：生产200毫米晶圆所需的去离子水量至少是生产150毫米晶圆所需水量的两倍。
该污水处理系统主要应用于槽车和洗涤设备中，在硅片加工过程中需对其反复清洗并彻底漂洗干净。对于经过氧化还原、氮化或其他化学处理后的晶圆面层，则建议采用超纯水彻底冲洗以去除残留物。
该污水处理系统主要应用于槽车和洗涤设备中，在硅片加工过程中需对其反复清洗并彻底漂洗干净。对于经过氧化还原、氮化或其他化学处理后的晶圆面层，则建议采用超纯水彻底冲洗以去除残留物。
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