《炬丰科技-半导体工艺》硅片减薄、分离工艺
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书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：硅片减薄、分离工艺
编号：JFKJ-21-230
作者：炬丰科技
摘要
为了实现电路集成，在硅片上布置各种传感器、通信模块以及存储单元等半导体结构是必要的。通常情况下，“细化”与“最小化”均为必要手段。另一方面，在提升制造工艺性能的同时，模具强度的增强对产品的可靠性和使用寿命也有着积极影响。
介绍
在半导体制造过程中的一期关键阶段中包含了许多电子电路组件如晶体管这些基本单元它们都是在硅片表面被系统性地构建起来的。随后在后续阶段中我们主要关注晶圆背面材料的状态对其进行退火处理以减少其内部缺陷同时通过化学刻蚀技术实现晶圆面的质量提升与结构优化。值得注意的是近年来关于更薄型芯片的需求持续增长这不仅有助于降低整个封装系统的功耗而且还能够为集成更多功能提供可能性从而推动整个行业的发展趋势
评价方法
该国际组织SEMI将其三点弯曲测试标准定为G86-0303，并将其作为测定模具强度的方法。在执行三点弯曲测试时（如图4所示），切屑一端固定另一端自由，并用压头持续施加垂直载荷直至切屑发生断裂
应力缓解效应
我们考察了镜面磨削损伤及锯痕的应力消除效果。采用以下CMP与DP去除磨后的镜面处理时程时长，在此过程中DBG显著地降低了后侧面切屑量并提升了模具强度
背面切屑的影响
最后，在芯片背面四边产生的切屑对其性能的影响方面展开了详细检测与分析。通过采用DBG工艺进行比较实验, 显著降低了背面切屑量. 在针对这些切屑特性, 对经过2000轮及DP轮加工后的表面质量进行了系统性评价
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