《炬丰科技-半导体工艺》氮化镓的光伏效应
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书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：氮化镓的光伏效应
编号：JFKJ-21-301
作者：炬丰科技
摘要
通过采用宽带隙半导体材料或减小p-n结漏电流密度的方式，在提高太阳能电池光电转换效率的同时显著提升开路电压。
关键词: 光伏效应; 高开路电压; 异质结; 氮化镓/硅纳米孔柱阵列
引言
太阳光是一种直接将光能转化为电能的关键组件。其中一种主要应用便是太阳能电池板，在这一领域中晶硅光伏组件占据了市场的主导地位。相较于Shockley-Queisser极限理论值（约29.4%），当前单结型晶体硅光伏组件的实际转化率已达26.7%，仍面临着较大的提升潜力。随着技术进步，在提高光伏转换效率方面取得显著进展的新一代半导体材料包括砷化镓等族化合物半导体以及钙钛矿晶体材料。
实验过程及测试方法
实验过程
在实验过程中，我们选用Fe(NO3)（浓度为0.04 mol/L）与HF（浓度为13 mol/L）的混合溶液用于腐蚀作用；经过水热处理后进行硼元素掺杂
杂、取向的单晶硅片( sc-Si) 制备 Si-NPA，原始单晶硅片的电阻率为 0. 015 Ω·cm。
- 2 测试方法 略
实验结果与讨论
1 GaN /Si-NPA 晶体结构与形貌表征
GaN /Si-NPA 的积分反射谱
结论
本文以具有优异宽波段光吸收特性的 Si-NPA 作为功能性衬底......
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