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-模拟电子技术基础-章节资料考试资料-武汉理工大学【】
随堂测验_放大电路的基本模型
1、【单选题】放大电路的互阻放大基本模型中受控源的类型是（）。
A、受电压控制电流源
B、受电压控制电压源
C、受电流控制电压源
D、受电流控制电流源
参考资料【】
2、【单选题】我们在考察一个电压/电流变换电路的工作性能时，宜选用（）模型进行等效分析。
A、电压放大
B、电流放大模型
C、互阻放大
D、互导放大
参考资料【】
3、【多选题】放大电路的基本模型包括以下要素：
A、放大电路的输入与输出电阻
B、放大电路的负载
C、放大电路的输入信号
D、放大电路的增益
参考资料【】
4、【判断题】电压放大电路也可以有电流放大能力。
A、正确
B、错误
参考资料【】
5、【判断题】放大电路只能选取四种基本模型中的一种来等效。
A、正确
B、错误
参考资料【】
6、【填空题】放大电路是个二端口网络，其输入端口等效为一个（），输出端口则等效为带有信号源内阻的信号源。
A、
参考资料【】
随堂小测验_放大电路性能指标
1、【单选题】研究放大电路的电压放大能力时，宜采用（）模型。
A、电压放大
B、电流放大
C、互阻放大
D、互导放大
参考资料【】
2、【单选题】以下关于电流放大电路性能正确的说法是（）。
A、放大电路要有好的电流放大性能，不仅对短路电流增益有要求，还要有尽可能大的输入电阻与输出电阻。
B、放大电路要有好的电流放大性能，不仅对短路电流增益有要求，还要有尽可能小的输入电阻与输出电阻。
C、放大电路要有好的电流放大性能，不仅对短路电流增益有要求，还要有尽可能大的输入电阻与尽可能小的输出电阻。
D、放大电路要有好的电流放大性能，不仅对短路电流增益有要求，还要有尽可能小的输入电阻与尽可能大的输出电阻。
参考资料【】
3、【多选题】以下各项指标参数中，（）是放大电路本身的性能指标。
A、放大电路的增益
B、放大电路的负载电阻
C、放大电路的频带宽度
D、放大电路的非线性失真
参考资料【】
4、【判断题】互阻放大电路只要有足够大的开路互阻增益，就能够将输入电流信号有效转变较为电压信号稳定输出。
A、正确
B、错误
参考资料【】
5、【填空题】互导放大模型中的增益代表放大电路的（）路输出电流与输入电压的比。
A、
参考资料【】
6、【填空题】互阻放大模型中的增益代表放大电路的（）路输出电压与输入电流的比。
A、
参考资料【】
绪论单元测试
1、【单选题】放大电路的互阻放大基本模型中，受控源的类型是（）。
A、受电压控制电流源，VCCS
B、受电流控制电压源，CCVS
C、受电压控制电压源， VCVS
D、受电流控制电流源，CCCS
参考资料【】
2、【单选题】我们在考察一个电压/电流变换电路的工作性能时，宜选用（）模型对电路进行等效变换后进行分析。
A、电压放大
B、电流放大
C、互阻放大
D、互导放大
参考资料【】
3、【单选题】以下关于电流放大电路性能的说法中，正确的是（）。
A、放大电路要有好的电流放大性能，不仅对短路电流增益有要求，还要有尽可能大的输入电阻与输出电阻。
B、放大电路要有好的电流放大性能，不仅对短路电流增益有要求，还要有尽可能小的输入电阻与输出电阻。
C、放大电路要有好的电流放大性能，不仅对短路电流增益有要求，还要有尽可能大的输入电阻与尽可能小的输出电阻。
D、放大电路要有好的电流放大性能，不仅对短路电流增益有要求，还要有尽可能小的输入电阻与尽可能大的输出电阻。
参考资料【】
4、【多选题】以下各项指标参数中，（）是放大电路本身的性能指标。
A、放大电路的增益
B、放大电路的负载电阻
C、放大电路的通频带宽度
D、放大电路的非线性失真
参考资料【】
5、【多选题】放大电路的基本模型包括的基本要素有（）。
A、放大电路的输入与输出电阻
B、放大电路的负载
C、放大电路的输入信号
D、放大电路的增益
参考资料【】
6、【判断题】互阻放大电路只要有足够大的开路互阻增益，就能够将输入电流信号有效转变较为稳定输出的电压信号。
A、正确
B、错误
参考资料【】
7、【判断题】电压放大电路也可以有电流放大能力。
A、正确
B、错误
参考资料【】
8、【判断题】放大电路只能选取四种基本模型中的一种来等效。
A、正确
B、错误
参考资料【】
9、【填空题】互阻放大模型中的增益代表放大电路的（）路输出电压与输入电流的比。（在”开“或“短”或“旁”或“环”中选择合适的填入）
A、
参考资料【】
10、【填空题】放大电路是个二端口网络，其输入端口等效为一个（），输出端口则等效为带有内阻的受控源。
A、
参考资料【】
随堂测验_半导体基础知识
1、【单选题】具有纯净的无缺陷的晶体结构的半导体称为（）。
A、杂质半导体
B、空穴型半导体
C、本征半导体
D、N型半导体
参考资料【】
2、【单选题】为了在较大范围内改善半导体材料的导电能力，可以（）。
A、提高环境温度
B、掺入特定杂质元素
C、加强光照
D、增加半导体材料横截面积
参考资料【】
3、【多选题】向本征半导体内掺入三价元素产生的杂质半导体，（）。
A、内部多数载流子类型为空穴
B、因为多子为空穴，整体带正电
C、整体呈电中性
D、内部多数载流子类型为自由电子
参考资料【】
4、【多选题】向本征半导体内掺入五价元素产生的杂质半导体，（）。
A、内部多数载流子类型为自由电子
B、外加电场作用下，多子与少子的漂移电流方向相反
C、内部多数载流子类型为空穴
D、外加电场作用下，多子与少子的漂移电流方向一致
参考资料【】
5、【多选题】在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要和（）有很大关系。
A、光照
B、温度
C、掺杂类型与浓度
D、热辐射
参考资料【】
6、【判断题】杂质半导体内部多数载流子为掺入的杂质，少数载流子为本征激发产生的电子与空穴。
A、正确
B、错误
参考资料【】
7、【判断题】本征半导体的本征激发使得自由电子与空穴成对出现，而复合又使得自由电子与空穴成对消失，所以整体而言，本征半导体内部无可以参与导电的载流子。
A、正确
B、错误
参考资料【】
8、【判断题】由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量自由电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电。
A、正确
B、错误
参考资料【】
9、【判断题】本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。
A、正确
B、错误
参考资料【】
10、【填空题】外电场作用下，半导体材料内部空穴的顺电场漂移运动实际上是临近共价键中的（）逆电场漂移运动。
A、
参考资料【】
11、【填空题】在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。
A、
参考资料【】
随堂测验_PN结的形成与特性
1、【单选题】在平衡的PN结两端外加反偏电压，会（）。
A、使空间电荷区变厚
B、抑制漂移，促进扩散
C、使反向饱和电流增大
D、使反向饱和电流减小
参考资料【】
2、【多选题】平衡的PN结又称为（）。
A、空间电荷区
B、势垒区
C、耗尽层
D、扩散漂移区
参考资料【】
3、【多选题】PN结的特性主要有（）。
A、单向导电性
B、反向击穿特性
C、电容特性
D、低电压稳压特性
参考资料【】
4、【判断题】温度升高时，PN结的反向饱和电流将减小。
A、正确
B、错误
参考资料【】
5、【判断题】平衡的PN结在无外加电场时，结电流为0。
A、正确
B、错误
参考资料【】
6、【判断题】扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即掺杂浓度大，扩散电流大；掺杂浓度小，扩散电流小。
A、正确
B、错误
参考资料【】
7、【判断题】PN结外加正向电压时，空间电荷区将变宽。
A、正确
B、错误
参考资料【】
8、【填空题】在PN结两端加上电压，PN结内就有电荷的变化，说明PN结具有电容效应。其中外加正偏电压时，（）电容起主要作用。
A、
参考资料【】
9、【填空题】在PN结两端加上电压，PN结内就有电荷的变化，说明PN结具有电容效应。其中外加反偏电压时，（）电容起主要作用。
A、
参考资料【】
随堂测验_半导体二极管
1、【单选题】PN结反向偏置电压的数值增大，但小于击穿电压，（）。
A、其反向电流增大
B、其反向电流减小
C、其反向电流基本不变
D、其正向电流相应增大
参考资料【】
2、【单选题】二极管加正向电压时，其正向电流是由（）。
A、多数载流子扩散形成
B、多数载流子漂移形成
C、少数载流子漂移形成
D、少数载流子扩散形成
参考资料【】
3、【多选题】以下关于半导体二极管说法正确的有（）。
A、半导体二极管正偏时，势垒区变窄
B、半导体二极管正偏时，扩散电流大于漂移电流，总电流方向与扩散电流一致
C、常温下，硅二极管的开启电压约为0.1V，正向导通的管压降约为0.2V
D、常温下，锗二极管的开启电压约为0.5V，正向导通的管压降约为0.7V
参考资料【】
4、【多选题】在电路中使用时，PN结反向应用的特殊二极管有（）。
A、发光二极管
B、光电二极管
C、稳压二极管
D、变容二极管
参考资料【】
5、【判断题】因为普通硅二极管的伏安特性，将1.5V的干电池以正向接发接到二极管两端，就可以让管子正常导通。
A、正确
B、错误
参考资料【】
6、【判断题】有A、B两个二极管，它们的反向饱和电流分别为5毫安和0.2微安，在外加相同正向电压时的电流分别为20毫安和8毫安。可见B管的性能较好。
A、正确
B、错误
参考资料【】
7、【填空题】温度对二极管的正向特性影响小，对其反向特性影响大，主要时因为（）浓度受温度影响较大。
A、
参考资料【】
8、【填空题】二极管的反向饱和电流在20摄氏度时时5微安，温度每升高10摄氏度，其反向饱和电流增大一倍，当温度为50摄氏度时，反向饱和电流值为（）微安。
A、
参考资料【】
随堂测验_二极管基本电路及其分析方法
1、【单选题】二极管整流电路利用的是二极管的（）特性。
A、反向击穿特性
B、电容效应
C、单向导电性
D、本征激发特性
参考资料【】
2、【多选题】以下二极管的简化模型中可用于估算二极管电路静态工作点的有（）。
A、小信号模型
B、理想模型
C、折线模型
D、恒压降模型
参考资料【】
3、【多选题】普通二极管可用于（）。
A、整流
B、限幅
C、低电压稳压
D、继电器续流
参考资料【】
4、【判断题】正向导通的二极管交流电阻大于直流电阻。
A、正确
B、错误
参考资料【】
5、【判断题】二极管的理想模型只有对开关电路等进行定性分析的时候才适用。
A、正确
B、错误
参考资料【】
6、【填空题】对二极管电路的静态分析与动态分析遵循（）原则。
A、
参考资料【】
7、【填空题】在已知电路静态工作点的前提下，二极管的小信号模型可用于对二极管电路做（）分析，
A、
参考资料【】
随堂测验_稳压二极管
1、【单选题】稳压二极管是利用PN结的（）。
A、反向截止特性
B、单向导电特性
C、反向击穿特性
D、电容特性
参考资料【】
2、【单选题】以下说法错误的是（）。
A、电击穿包括齐纳击穿和雪崩击穿两种，只要反向电流控制在一定范围内，是可以逆转的。
B、稳压二极管在正常工作时外加反偏电压，所以无需串联限流电阻。
C、齐纳击穿的本质是场致电离，对电场强度的要求很高
D、雪崩击穿的本质是碰撞电离，要求少子在电场中漂移过程中能够获得足够大的动能
参考资料【】
3、【多选题】以下（）是在选用和使用稳压二极管时需要重点考虑的参数。
A、正向管压降
B、最大反向工作电流
C、额定功耗或最大耗散功率
D、标称稳定电压
参考资料【】
4、【多选题】有两只稳压管，稳定电压分别为5V和8V，正向导通管压降为0.7V.若将它们串联相接，稳压值（）得不到。
A、13V、1.4V
B、4.3V、7.3V
C、8.7V、5.7V
D、5.3V、8.7V
参考资料【】
5、【多选题】有两只稳压管，稳定电压分别为5V和8V，正向导通管压降为0.7V。若将它们并联相接，可得到（）几种稳压值。
A、5V
B、0.7V
C、8V
D、8.7V
参考资料【】
6、【判断题】稳压二极管只有在反向偏置时才能起到稳压作用。
A、正确
B、错误
参考资料【】
7、【判断题】在正常工作范围内，稳压二极管的反向电流越大，动态电阻越小，稳压性能越好。
A、正确
B、错误
参考资料【】
8、【填空题】反映稳压二极管反向击穿特性的折现模型中，电阻反映的是稳压二极管反向电流与反向电压（）的比。
A、
参考资料【】
第2章_半导体基础知识及二极管_单元测验
1、【单选题】为了在较大范围内改善半导体材料的导电能力，可以（）。
A、提高环境温度
B、掺入特定杂质元素
C、加强光照
D、增加半导体材料横截面积
E、加强外电场
F、以特殊工艺向本征半导体内掺入微量三价或五价元素
参考资料【】
2、【单选题】在平衡的PN结两端外加反偏电压，会（）。
A、使空间电荷区变厚
B、抑制漂移，促进扩散
C、使反向饱和电流增大
D、使反向饱和电流减小
E、使势垒变高
F、只要不被击穿，反向电流会随着反向电压的增大达到饱和值而基本维持不变
G、抑制扩散，促进漂移
参考资料【】
3、【单选题】二极管两端外加正偏电压时，其正向电流是由（）。
A、多数载流子扩散形成
B、多数载流子漂移形成
C、少数载流子漂移形成
D、少数载流子扩散形成
参考资料【】
4、【单选题】二极管整流电路利用的是二极管的（）特性。
A、反向击穿特性
B、电容效应
C、单向导电性
D、本征激发特性
E、掺杂特性
F、正向导通、反向截止的特性
G、正向导通、反向击穿的特性
H、开关特性
参考资料【】
5、【单选题】以下说法错误的是（）。
A、电击穿包括齐纳击穿和雪崩击穿两种，只要反向电流控制在一定范围内，是可以逆转的。
B、稳压二极管在正常工作时外加反偏电压，所以无需串联限流电阻。
C、齐纳击穿的本质是场致电离，对电场强度的要求很高
D、雪崩击穿的本质是碰撞电离，要求少子在电场中漂移过程中能够获得足够大的动能
参考资料【】
6、【单选题】二极管的反向饱和电流在20摄氏度时是5微安，温度每升高10摄氏度，其反向饱和电流增大一倍，当温度为50摄氏度时，反向饱和电流值为（）微安。
A、20
B、30
C、40
D、50
参考资料【】
7、【单选题】反映稳压二极管反向击穿特性的折线模型中，电阻反映的是稳压二极管反向电流与（）的比。
A、反向电压在一定范围内变化量
B、反向电压
C、正向电流在一定范围内变化量
D、正向导通电压
参考资料【】
8、【多选题】向本征半导体内掺入五价元素产生的杂质半导体，（）。
A、内部多数载流子类型为自由电子
B、外加电场作用下，多子的漂移电流与少子的漂移电流方向相反
C、内部多数载流子类型为空穴
D、外加电场作用下，多子的漂移电流与少子的漂移电流方向一致
E、若失去产生的多子自由电子，杂质元素生成带正电的施主离子
F、若失去产生的多子空穴，杂质元素生成带负电的受主离子
参考资料【】
9、【多选题】PN结的特性主要有（）。
A、单向导电性
B、反向击穿特性
C、电容特性
D、低电压稳压特性
E、本征激发特性
F、掺杂特性
参考资料【】
10、【多选题】以下关于半导体二极管说法正确的有（）。
A、半导体二极管外施正偏电压时，势垒区变窄
B、半导体二极管正向偏置时，扩散电流大于漂移电流，总电流方向与扩散电流一致
C、常温下，硅二极管的开启电压约为0.1V，正向导通的管压降约为0.2V
D、常温下，锗二极管的开启电压约为0.1V，正向导通的管压降约为0.2V
E、常温下，锗二极管的开启电压约为0.5V，正向导通的管压降约为0.7V
F、常温下，硅二极管的开启电压约为0.5V，正向导通的管压降约为0.7V
参考资料【】
11、【多选题】以下二极管的简化模型中可用于估算二极管电路静态工作点的有（）。
A、小信号模型
B、理想模型
C、折线模型
D、恒压降模型
E、电压放大模型
F、电流放大模型
G、互阻放大模型
H、互导放大模型
参考资料【】
12、【多选题】以下（）是在选用和使用稳压二极管时需要重点考虑的参数。
A、正向管压降
B、最大反向工作电流
C、额定功耗或最大耗散功率
D、标称稳定电压
E、最小反向工作电流
F、反向击穿时的动态电阻
G、正向开启电压
参考资料【】
13、【多选题】平衡的PN结又称（）。
A、阻挡层
B、耗尽层
C、空间电荷区
D、二极管
E、势垒
F、导电沟道
参考资料【】
14、【判断题】本征半导体的本征激发使得自由电子与空穴成对出现，而复合又使得自由电子与空穴成对消失，所以整体而言，本征半导体内部无可以参与导电的载流子。
A、正确
B、错误
参考资料【】
15、【判断题】扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即掺杂浓度大，扩散电流大；掺杂浓度小，扩散电流小。
A、正确
B、错误
参考资料【】
16、【判断题】根据普通硅二极管的伏安特性，将1.5V的干电池以正偏方向接到二极管两端，就可以让管子正常工作。
A、正确
B、错误
参考资料【】
17、【判断题】二极管的理想模型只有对开关电路等进行定性分析的时候才适用。
A、正确
B、错误
参考资料【】
18、【判断题】稳压二极管的反向电流越大，动态电阻越小，稳压性能越好。
A、正确
B、错误
参考资料【】
19、【判断题】外电场作用下，半导体材料内部空穴的顺电场漂移运动实际上是临近共价键中的束缚电子的逆电场漂移运动。
A、正确
B、错误
参考资料【】
20、【判断题】在PN结两端加上电压，PN结内就有电荷的变化，说明PN结具有电容效应。其中外加反偏电压时，扩散电容起主要作用。
A、正确
B、错误
参考资料【】
21、【判断题】对二极管电路的静态分析与动态分析遵循先“静”后“动”原则。
A、正确
B、错误
参考资料【】
随堂测验_MOSFET及其特性
1、【多选题】与BJT相比，场效应管（）。
A、输入电阻大
B、噪声低
C、温度稳定性好
D、放大能力更好
参考资料【】
2、【判断题】场效应管与BJT均属于电压控制型器件，其中场效应管是单极型器件，BJT是双极型器件。
A、正确
B、错误
参考资料【】
3、【判断题】跨导反映了场效应管的栅源电压对漏极电流的控制能力，其单位为mS（毫西门子）。
A、正确
B、错误
参考资料【】
4、【判断题】P沟道增强型MOS管的开启电压为正值。
A、正确
B、错误
参考资料【】
5、【判断题】对于耗尽型MOS管，VGS可以为正、负或零。
A、正确
B、错误
参考资料【】
6、【判断题】场效应管利用外加电压产生的电场来控制漏极电流的大小，因此它是电压控制型器件。
A、正确
B、错误
参考资料【】
3_单元测验_ MOSFET及其特性
1、【单选题】测得某放大电路中的一个MOS管的三个电极的电位

，

，

，其开启电压

单选题

A、耗尽型NMOS的转移特性曲线，其夹断电压VP=﹣4V
B、耗尽型PMOS的转移特性曲线，其夹断电压VP=﹣4V
C、增强NMOS的转移特性曲线，其开启电压VTN=﹣4V
D、增强PMOS的转移特性曲线，其开启电压VTN=﹣4V
参考资料【】
6、【多选题】测得某放大电路中的一个MOS管的三个电极的电位VS=-5V，VG=1V，VD=3V，其开启电压VGS(th)=4V。试分析管子的工作状态。
A、恒流区
B、截止区
C、可变电阻区
D、饱和区
E、线性工作区
参考资料【】
7、【多选题】已知放大电路中一只MOS三个极S、G、D的电位分别为4V、8V、12V，管子工作在恒流区。试判断它可能是哪种管子
A、增强型NMOS管
B、增强型PMOS管
C、耗尽型NMOS管
D、耗尽型PMOS管
参考资料【】
8、【判断题】若耗尽型N沟道MOS管的

大于零，则其输入电阻会明显变小。
A、正确
B、错误
参考资料【】
9、【判断题】MOSFET输出特性曲线如图，它是P沟耗尽型MOSFET。<img style=“width: 348px; height: 261px;” src="http://edu-image.nosdn.127.net/2AB470CD829A0237156085F4901E0D77.bmp?imageView
A、正确
B、错误
参考资料【】
3_单元测验_JFET及其特性
1、【单选题】一个场效应管的转移特性曲线如图所示，指出它的类型，读出它的夹断电压

以及饱和漏电流

。

多选题

多选题

判断题

单选题

单选题

单选题

该电路具有增益特性，在直流通路中可维持静态工作点于恒流区；交流通路则能有效传递输入信号至输出端。
该电路不具备增益特性，在直流通路上无法维持静态工作点于恒流区；交流通路仍可正常传递信号。
该电路不具备增益特性，在直流通路中可维持静态工作点于恒流区；交流通路则会阻碍信号的有效传递。
该电路不具备增益特性，在直流通路上无法维持静态工作点于恒流区；交流通路同样无法保障信号的有效传递。

共源电路具有增益特性，在直流通路上能实现静态工作点置于线性增益区域（恒流区）。交流通路上能稳定地传递输入信号与输出信号。
共源电路不具备增益特性，在直流通路上无法维持静态工作点置于线性增益区域（恒流区）。交流通路上能稳定地传递输入信号与输出信号。
共源电路不具备增益特性，在直流通路上能维持静态工作点置于线性增益区域（恒流区）。交流通路上无法稳定地传递输入信号与输出信号。
共源电路不具备增益特性，在直流通路上无法维持静态工作点置于线性增益区域（恒流区）。交流通路上也无法稳定地传递输入信号与输出信号。
参考资料【

单选题

单选题

A、在输出特性中，直线A为直流负载线，斜率为

；直线B为交流负载线，斜率为

；直流负载线是动态工作状态下的运行轨迹，在电路分析中起到重要作用，并用于绘制工作特性曲线。
在输出特性图中，
直线B代表直流负载特性，
其斜率为 $V/V$ 。

；直线A为交流负载线，斜率为

；交流负载线是在动态运行过程中（即交流负载线）的表现形式之一，在这种情况下它被用来绘制工作波形。
C、在输出特性中（即电压-电流关系曲线），直线B代表直流负载线；其斜率为-1.4。
在二极管整流电路中（主要体现在其输出特性曲线的形状和位置变化上），当电路处于直流负载下工作时。

；直线A为交流负载线，斜率为

；直流负载线描述了动态工作状态下的路径变化情况；由此可知，在绘制工作波形时会使用这一概念。
D选项、在输出特性图中表示直流负载线的是直线A，在其斜率部分显示特定数值。

；直线B为交流负载线，斜率为

；交流负载线是动态工作的轨迹，因此它用来绘制工作波形。
参考资料【】
5、【多选题】下面说法正确的是
A、对于增强型MOS管，在恒流区满足伏安特性方程

，其中

是指

的

。
B、对于耗尽型MOS管，在恒流区满足伏安特性方程

，其中

是指

的

改写内容

由静态工作点决定。
B、场效应管小信号模型参数

可以通过输出特性曲线求解。
C、场效应管小信号模型参数

可以通过转移特性曲线求解。
D、场效应管小信号模型中

单选题

A、

B、

C、

D、

参考资料【】
2、【单选题】

A、电路采用自偏压
B、电路采用固定偏压方式
C、电路采用分压式偏压方式
D、电路采用分压式自偏压方式
参考资料【】
3、【单选题】

A、

B、

C、

D、

参考资料【】
4、【单选题】

A、

B、

C、

D、

E、

单选题

B、

C、

D、

单选题

B、

C、

D、

参考资料【】
7、【单选题】

A、

B、

C、

D、

E、

F、

G、

H、

I、

J、

K、

参考资料【】
8、【单选题】

A、

B、

C、

D、

单选题

B、

C、

D、

单选题

B、

C、

D、

E、

F、

G、

参考资料【】
11、【多选题】已知电路如图，Rg1=3MΩ，Rg2=1MΩ，连接在源极的电阻Rs =1kΩ, 负载电阻RL=1kΩ, VDD＝20V，场效应管的开启电压VT等于2V，IDO=4mA。以下说法正确的有：

A、

B、

C、

D、

E、

F、

G、

H、

I、

J、

K、

L、

多选题

B、

C、

D、

E、

F、

G、

H、

I、

J、

单选题

B、

C、

D、

E、

F、

单选题

B、

C、

D、

单选题

B、

C、

D、

E、

F、

单选题

B、

C、

D、

参考资料【】
5、【单选题】

A、

B、

C、

D、

参考资料【】
6、【单选题】

A、

B、

C、

D、

E、

F、

参考资料【】
7、【单选题】

A、

B、

C、

D、

参考资料【】
8、【单选题】

A、

B、

C、

D、

E、

单选题

B、

C、

D、

E、

F、

参考资料【】
10、【多选题】

A、

B、

C、

D、

E、

F、

G、

H、

I、

J、

参考资料【】
11、【多选题】

单选题

多选题

判断题

单选题

判断题

A、2 rbe
B、2(rbe+Rb), 其中（Rb=Rb1=Rb2, rbe=rbe1=rbe2）
C、[(rbe+Rb)+2*（1+

）Re]/2, 其中（Rb=Rb1=Rb2）
D、2*[(rbe+Rb)+2*（1+

）Re], 其中（Rb=Rb1=Rb2）
参考资料【】
2、【判断题】1、BJT差分放大电路如教材图7.2.9所示，则该电路的差模输入电阻是2 rbe
A、正确
B、错误
参考资料【】
3、【判断题】2、BJT差分放大电路如教材图7.2.9所示，则该电路的共模输入电阻是2[rbe+2(1+β)ro]
A、正确
B、错误
参考资料【】
4、【判断题】3、BJT差分放大电路如教材图7.2.9所示，则该电路在共模输入双端输出条件下，负载电阻

单选题

单选题

解析

答案

多选题

越大越好
C、输出电阻

越小越好
D、开环带宽BW越大越好
参考资料【】
4、【判断题】3、MOSFET型集成运放与BJT型集成运放相比，具有更大的输入电阻
A、正确
B、错误
参考资料【】
5、【判断题】6、一个集成运放的共模抑制比是固定不变的
A、正确
B、错误
参考资料【】
6、【填空题】5、一个集成运放的输入信号为零时，有0.1V的输出电压，该运放的开环差模电压增益为100，则该运放的

=_______mV。
A、
参考资料【】
随堂测验
1、【单选题】差分放大电路抑制零漂是通过_____来实现的。
A、增加一级放大电路
B、采取两个输入端
C、利用电路左右结构和参数对称的特点
D、以上都不是
参考资料【】
2、【单选题】从输入和输出关系来看，差分放大电路可由_____种连接方式
A、1
B、2
C、3
D、4
参考资料【】
3、【判断题】工作在差分放大电路中的MOSFET放大管也要工作在饱和区
A、正确
B、错误
参考资料【】
4、【判断题】理想情况下，双输入双输出的差分放大电路的差模输出为零
A、正确
B、错误
参考资料【】
5、【判断题】静态分析差分放大电路时，需要把信号输入端断开
A、正确
B、错误
参考资料【】
6、【判断题】双端输出的差分放大电路，静态输出为0
A、正确
B、错误
参考资料【】
7、【判断题】FET差放电路（教材图7.2.2）中，源极S点的直流电位不为零，而差模输入时交流电位为零
A、正确
B、错误
参考资料【】
8、【判断题】差分放大电路的负载RL的中点在交流通路中总是等效接地
A、正确
B、错误
参考资料【】
9、【判断题】差分放大电路以双倍的元器件换取抑制零漂的能力
A、正确
B、错误
参考资料【】
10、【判断题】单端输出的差分放大电路电压增益的正负号与输出端的位置有关
A、正确
B、错误
参考资料【】
11、【判断题】理想情况下，MOSFET差放电路（教材图7.2.2）中，无论是单输入还是双输入，差模和共模输入电阻都是无穷大
A、正确
B、错误
参考资料【】
12、【判断题】差分放大电路在共模输入信号作用下，双端输入和单端输入的性能是不相同的
A、正确
B、错误
参考资料【】
13、【判断题】FET差放电路（教材图7.2.2）中电流源的内阻在共模输入时可以视为短路，与差模输入时相同
A、正确
B、错误
参考资料【】
14、【判断题】双端输入共模信号时，双端输出为零，单端输出不为零
A、正确
B、错误
参考资料【】
15、【判断题】FET差放单端的共模输出大小与偏置电流源内阻有关
A、正确
B、错误
参考资料【】
16、【判断题】一个差放的差模电压增益越大，它的共模抑制能力越强
A、正确
B、错误
参考资料【】
17、【判断题】共模输入时，差放的输入输出也有4种不同的方式
A、正确
B、错误
参考资料【】
2021~2022上学期在线课程期中考试
1、【单选题】为了在较大范围内有效地改变半导体材料的导电能力，可以（）。
A、改变环境温度
B、利用半导体材料的掺杂特性
C、改变环境光照条件
D、改变半导体材料横截面积
E、加强外电场
F、以特殊工艺根据需要向本征半导体内掺入适量的三价或五价元素
参考资料【】
2、【单选题】以下说法错误的是（）。
A、电击穿包括齐纳击穿和雪崩击穿两种，只要反向电流控制在一定范围内，是可以逆转的。
B、齐纳击穿的本质是场致电离，对电场强度的要求很高。
C、雪崩击穿的本质是碰撞电离，要求电场中的少子在漂移过程中能够获得足够大的动能。
D、二极管整流电路利用的就是二极管的反向击穿特性，将交流电变成了脉动直流电。
参考资料【】
3、【单选题】在平衡的PN结两端外加反偏电压，（）。
A、空间电荷区会变厚
B、会抑制漂移，促进扩散
C、会产生反向饱和电流
D、会使PN结反向击穿
E、会使势垒变高
F、只要不被击穿，反向电流会随着反向电压的增大达到饱和值而基本维持不变
G、抑制扩散，促进漂移
H、耗尽层会变薄
参考资料【】
4、【单选题】BJT正常放大时，发射结一定是（）。
A、反偏的
B、正偏
C、NPN型的正偏，PNP型的反偏
D、PNP型的正偏，NPN型的反偏
E、基极-发射极间电压降VBE大于0
F、基极-发射极间电压降VBE小于0
参考资料【】
5、【单选题】共射组态的BJT放大电路结构特点是（）。
A、信号从基极输入，集电极输出，发射极为公共电极
B、信号从基极输入，发射极输出，集电极为公共电极
C、信号从发射极输入，集电极输出，基极为公共电极
D、信号从发射极输入，基极输出，集电极为公共电极
E、信号从集电极输入，发射极输出，基极为公共电极
F、信号从集电极输入，基极输出，发射极为公共电极
参考资料【】
6、【单选题】下列说法中错误的是（）。
A、

与BJT的静态工作点有关
B、共射极放大电路的电压增益为正值
C、与共集电极放大电路相比，共射极放大电路的输出电阻较小
D、与共集电极放大电路相比，共射电路的输出电阻较大
E、共射电路能实现反向放大
F、共射极放大电路的电压放大倍数可能小于1
参考资料【】
7、【单选题】射极偏置共射极电路的结构特点是（）。
A、信号从基极输入，从集电极输出，发射极直接接地
B、信号从基极输入，从集电极输出，发射极通过电阻接地
C、信号从发射极输入，从集电极输出，基极通过电阻接地
D、信号从基极输入，从发射极输出，集电极通过电阻接地
E、信号从基极输入，从发射极输出，集电极直接接地
参考资料【】
8、【单选题】下列说法中错误的是（）。
A、基极分压式射极偏置电路的静态工作点比基本共射电路更稳定
B、射极偏置共射极电路（无旁路电容）的电压增益绝对值比基本共射电路的电压增益绝对值更小
C、基极分压式射极偏置电路（无旁路电容）的电压增益绝对值比基本共射电路的电压增益绝对值更大
D、基极分压式射极偏置电路（无旁路电容）中的Ri，因为射极偏置电阻的存在，比较大
E、基极分压式射极偏置电路（无旁路电容）的Ro比基本共射电路的Ro更小
F、基极分压式射极偏置电路（无旁路电容）中的Ri，因为射极偏置电阻的存在，比较小
G、射极偏置共射极电路（无旁路电容）的Ro相比基本共射电路的Ro不变
参考资料【】
9、【单选题】下列电路中，（）的Vi与Vo反相。
A、基本共射放大电路
B、射极偏置共射极放大电路
C、基本共集电极放大电路
D、基本共基极放大电路
E、信号从BJT的发射极输入，集电极输出，以基极为公共端的放大电路
F、信号从BJT的基极输入，集电极输出，以发射极为公共端的放大电路
G、信号从BJT的基极输入，发射极输出，以集电极为公共端的放大电路
参考资料【】
10、【单选题】测得某放大电路中的一个MOS管的三个电极的电位

，

，

，其开启电压

单选题

从2mA变为4mA时，它的低频跨导

单选题

时，能够工作在恒流区的场效应管有( )。
A、D-type PMOS管
B、N-JFET
C、P-JFET
D、D-type NMOS管
E、E-type PMOS管
F、E-type NMOS管
参考资料【】
26、【多选题】如图所示，下列说法正确的有：<img style=“font: 400 14px/22px Arial,Helvetica,sans-serif; margin: 0px; padding: 0px; border: 0px rgb(102, 102, 102); border-image: none; width: 1px; height: 1px; text-align: left; color: rgb(102, 102, 102); text-transform: none; text-indent: 0px; letter-spacing: normal; text-decoration: none; word-spacing: 0px; white-space: normal; cursor: text; word-wrap: break-word; orphans: 2; -webkit-text-stroke-width: 0px; background-color: transparent;” src=“http://edu-image.nosdn.127.net/C3CC3A2EAEF03DE568D78AE0D0272FE0.bmp?imageView margin: 0px; padding: 0px; border: 0px rgb(102, 102, 102); border-image: none; width: 359px; height: 238px; text-align: left; color: rgb(102, 102, 102); text-transform: none; text-indent: 0px; letter-spacing: normal; text-decoration: none; word-spacing: 0px; white-space: normal; cursor: text; word-wrap: break-word; orphans: 2; -webkit-text-stroke-width: 0px; background-color: transparent;” src="http://edu-image.nosdn.127.net/C3CC3A2EAEF03DE568D78AE0D0272FE0.bmp?imageView
A、这是耗尽型MOSFET的输出特性曲线，其中A区为饱和区，B区为线性放大区
B、这是耗尽型MOSFET的转移特性曲线，其中A区为饱和区，B区为线性放大区。
C、这是增强型MOSFET的输出特性曲线，其中A区为可变电阻区，B区为饱和区。
D、这是增强型MOSFET的转移特性曲线，其中A区为可变电阻区，B区为恒流区。
E、这是耗尽型MOSFET的输出特性曲线，其中C区为截止区，D区为击穿区。
F、这是增强型MOSFET的输出特性曲线，其中C区为截止区，D区为击穿区。
G、这是增强型MOSFET的输出特性曲线，其中C区为击穿区，D区为截止区。
H、这是耗尽型MOSFET的转移特性曲线，其中C区为截止区，D区为击穿区。
I、这是增强型MOSFET的输出特性曲线，其中A区为可变电阻区，B区为恒流区。
参考资料【】
27、【多选题】划分BJT输出特性曲线上的安全工作区域，需要考虑的因素有（）。
A、集电极最大允许电流
B、基极最大允许电流
C、集电结最大允许耗散功率
D、发射结最大允许耗散功率
E、基极开路时集电极-发射极间的反向击穿电压
F、集电极开路时，发射极-基极间的反向击穿电压
G、发射极开路时，集电极-基极间的反向击穿电压
参考资料【】
28、【多选题】BJT直流偏置如图：(a)为原电路图，(b）图对（a）图做了戴维南等效变换。