《炬丰科技-半导体工艺》氧化硅、氮化硅薄膜的成分分析
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书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：氧化硅、氮化硅薄膜的成分分析
编号：JFKJ-21-263
作者：炬丰科技
摘要
基于NH3与SiH4的混合气体，在多晶体硅表面采用等离子体增强化学气相沉积法，在多晶体硅表面平行配置地生长氢和非晶态氮化硅。通过Rutherford背散射光谱（RBS）、俄歇电子能谱（AES）以及能量色散X射线（EDX）分析了氮化物氧化物堆中的组成及含量。探讨了退火温度对材料结构及其组成的影响。随着SiNx材料 undergoes 热氧化过程时，在其内部环境O原子逐步扩散至N层，并最终生成二氧化硅覆盖层。氧气逐渐扩散至N层表面，在干燥氧化条件下形成了二氧化硅覆盖层
关键词:SiNx: H;氧化;PECVD;退火温度;元素分析
介绍
非晶态氮化硅薄膜是非晶硅材料科学中一个重要的组成部分，在实际应用中具有高度有用性。此类薄膜作为高性能材料，在多个领域展现出显著的技术优势：太阳能电池系统、辐射冷却装置以及栅电介质器件等均能获得较好的性能表现。沉积氮化硅(SiNx)薄膜可采用多种化学气相沉积（CVD）技术中的PECVD方法作为主要手段。
实验
结果与讨论
SIMS用于检测存在于样品中的原始元素以及不必要的el元素,例如碳类杂质,在整个样品结构中分布均匀. 图1展示了该ON样品经SIMS分析后的结果,在700°C下持续30分钟暴露于氮气环境中.
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