《炬丰科技-半导体工艺》--技术资料合集36
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一：********《湿式热氧化GaN构成》
二：********《平面碳化硅半导体衬底》
三：********《晶片清洗工艺评估》
四：********《磷化铟纳米管的合成》
五：********《晶圆级封装的可靠性分析》
六：********《晶圆级键合工艺》
七：********《晶圆级微光学制造》
八：********《晶圆键合制造技术回顾》
九：********《宽禁带半导体微纳米器件》
十：********《磷化铟的热力学性质》
****十一：********《****磷化铟光子电路》
十二：********《磷化铟光子集成的优势》
十三：********《磷化铟直接键合方法》
十四：********《晶圆级倒装芯片器件封装方法》
十五：********《磷化铟晶片退火处理研究》
十六：********《减少碳化硅氧化层缺陷的方法》
****十七：********《****化学气相沉积（CVD）原理及应用》
****十八：********《****石墨薄膜的化学气相沉积》
十九****：《****晶片表面取向对极薄氧化物质量的影响》
二十：《清洗过程中氧浓度对硅表面的影响》
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