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模电笔记二(第一章第二小节)

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文章目录

    • 半导体二极管
  • 一、二极管的组成

  • 二、二极管的伏安特征及电流方程

  • 三、二极管的等效电路

    • 1.折线化
    • 2.微变等效电路
  • 四、二极管的主要参数

  • 五、稳压二极管

    • 1.伏安特性
    • 2.主要参数

半导体二极管

p型半导体,n型半导体,pn结都呈电中性,不带点。

一、二极管的组成

将PN结封装,引出两个电极,就构成了二极管。
P–阳极 N–阴极
在这里插入图片描述
点接触型:结面积小,结电容小,结运行的电流小,用于高频回路和小功率整流
面接触型:结面积大,结电容大,电流小,工作频率低,一般仅作为整流管
平面型:扩散法制成。

  • 结面积大:大功率整流
  • 结面积小:脉冲数字电路中的开关管

二、二极管的伏安特征及电流方程

i=f(u)
在这里插入图片描述
U_T:温度的电压当量
在这里插入图片描述

材料 开启电压 导通电压 反向饱和电流
硅Si 0.5V 0.5~0.8V 1uA以下
锗Ge 0.1V 0.1~0.3V 几十uA

一定要有r存在。
二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性。(稳态)

其伏安特征可以反应:

单向导电性
在这里插入图片描述
在这里插入图片描述

受温度影响

温度T升高的时候

  • 电流不变情况下管压降u降
  • 反向饱和电流I_s升,U_{(BR)}降

(正向特性左移,反向特性下移)

三、二极管的等效电路

1.折线化

正向导通,反向立即截止。理想二极管。
图图图
解析:
若该二极管为硅管,其导通电压0.6-0.8V。(1)V=100V时,100/0.6=166,电源电压高166倍于导通电压,认为可忽略导通电压,二极管具有理想二极管的特性。(记为图一)(2)V=5V, 5/0.6=8.3,……8.3倍……,具有图二特性(3)V=1V, 1/0.6,…………,具有图三特性。 著:P18.和P19的例题。

2.微变等效电路

在这里插入图片描述

四、二极管的主要参数

最大整流电流:最大正向平均电流
最大反向工作电压:最大瞬时值,超过会击穿,为击穿电压的一半
反向电流:未击穿时的反向电流I_S
最高工作频率
在这里插入图片描述

五、稳压二极管

1.伏安特性

稳压管:硅,面接触型
反向击穿时,一定电流范围内,端电压基本不变。
在这里插入图片描述

2.主要参数

稳定电压:反向击穿电压U_Z

稳定电流:稳态时的参考电流,电流低于该值稳压效果变坏。I_Z(也常记作I_Zmin)

额定功耗(也称最大功耗):P_ZM=U_Z*I_ZM(I_ZM或记作I_Zmax)

动态电阻:

在这里插入图片描述

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