芯片ESD试验项目及标准
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HBM**（Human Body Model****）**
标准 ：GJB 548 -方法3015 静电放电敏感度的分级
测试目的 ：测试微电路受静电放电（ESD）作用造成损伤和退化的敏感度，对微电路进行分级。
HBM器件的失效阈值分级如下：
测试方法 ：按人体模型放电试验电路产生的波形进行分级测试。HBM采用引脚组合方式，每2个引脚为一个组合，每次触发一个脉冲，按照试验的管脚组合，分别用三个正脉冲、三个负脉冲进行测试。脉冲之间至少要有1s的延时，一般为3s。
CDM**（Charge Device Model****）**
标准 ：JS002-2018
测试目的 ：测试给器件充电并迅速放电时对器件造成的损伤评估。
CDM器件的失效阈值分级如下：
测试方法 ：CDM先对对整个器件充电（无管脚组合），分直接充电和感应充电，然后通过某一管脚对地放电。
LU**（Latch Up****）**
标准 ：SJ20954-2006
测试目的 ：测试集成电路IC的电流锁定和过压锁定，适用于NMOS、CMOS、双极以及使用此类工艺的产品。当器件出现锁定时，表明器件电性能失效，与器件特殊结构无关。
测试方法 ：按照芯片各个管脚类型及工作电压按照标准做电流及过压触发，由机台自动抓取电源漏电变化，判断是否闩锁。
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