《炬丰科技-半导体工艺》Megasonic剥离去胶工艺技术
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：Megasonic剥离去胶工艺技术
编号：JFKJ-21-169
作者：炬丰科技
摘要
集成电路设计制造与IC封装技术构成了集成电路产业的主要支柱领域。随着芯片技术的不断进步和发展，在集成电路制造过程中逐渐出现了更高密度、更低功耗的封装技术和光刻工艺应用。大多数企业都意识到光刻胶溶出工艺的重要性，在后续制程流程中发挥着关键作用以提高产品合格率。为了确保设备层不会受到损坏，在光刻后必须采取有效的去胶措施去除残留物并收集产生的金属颗粒来源于图案结构中的颗粒金属。光刻胶溶出工艺是一个关键因素直接影响着最终产品的成品率。如果无法完全清除光刻胶残留物将会导致设备层出现缺陷甚至损坏设备层表面造成性能下降或寿命缩短的问题.因此采用先进的去胶工艺至关重要.传统的湿剥离浸渍以及单次腔室剥离等方法虽然能够去除部分胶层但效率较低且可能导致整体生产效率受到影响.本研究提出了一种改进型的空间交替消融法通过多频段超声波协同作用实现了对光致抗蚀剂的有效清除.此外通过光学显微镜对不同模式晶片进行了去胶效果评估并首次实现了全尺寸晶圆片的大面积去胶操作.这种新型去胶方法能够全面考虑不同工作条件下的去胶效果并通过精确控制反应参数达到了更高的去胶效率.
关键词:先进包装，光阻剂，湿法 ，剥离、Megasonic溶剂
介绍
常规湿剥离、浸渍和单次腔室剥离是常用的去除策略先进包装中的光刻胶。 然而,浸泡单室剥离策略受到很大限制通过耗时的过程。人们已经接受了这一点超声能有助于去除颗粒半导体器件在清洗过程中。mega sonic的基本原理是基于高频(0.8~3.0 MHz)交流电激发压电谐振器晶体，产生巨大的声波产生从振动。 因此，声边界层较薄在晶圆片表面附近形成。 一个巨大的声压梯度、质点速度和声流场效应来源于超高频和高频在溶液中产生高能振动，有利于清洗和汽提过程。
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本文还列举了一些实验的准备，过程以及结果等