SOI 晶体材料/砷化镓（GaAs）晶体材料/氧化锌（ZnO）晶体材料

该材料采用二氧化硅（SiO₂）作为基底，在其表面覆盖一层硅（Si）薄膜的具体说明。基于这种结构上的器件，在本质上能够减少结电容及漏电流并加快开关速度的同时还能够有效降低功耗从而实现高速运行的状态。
常见尺寸包括4英寸、6英寸及8英寸。
电阻率可选。
单晶层厚度范围为0.22至50微米。
埋氧化物层的厚度范围是0.4至4微米。
基底层的厚度在100至500微米之间。

GaAs 半导体晶体材料
掺杂剂：硅
导电特性：半导体型
生长工艺：垂直梯度凝固法(VGF) 和垂直布里奇曼法(HB)
晶向分布：均匀分布在 (100) 晶向±0.5°范围内；朝向<111>A方向偏转 2°至 2°±0.5°范围；偏离<111>A方向约 15°±0.5°范围内
尺寸规格：厚度达 0.35 毫米的样品有四种规格分别为 25×25 毫米、10×10 毫米、以及 10×5 和 5×5 毫米大小
表面质量：通过 AFM 技术可获得 Ra 值小于等于 5 微米级的表面粗糙度检测报告
抛光处理：采用单面或双面抛光工艺进行表面处理

氧化锌（ZnO）晶体材料
晶体结构 六方
晶格常数 a=3.252Å c=5.313 Å
密度 5.7（g/cm3）
硬度 4（mohs）
熔点 1975℃
热膨胀系数 6.5 x 10-6 /℃//a 3.7 x 10-6 /℃//c
热 容 0.125 cal /g.m
热电常数 1200 mv/k @ 300 ℃
热 导 0.006 cal/cm/k
透过范围 0.4-0.6 um > 50% at 2mm
晶向 <0001>、<11-20>、<10-10>±0.5º
表面粗糙度 Surface roughness(Ra):<=5A
抛光 单面或双面
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yyp2021.1.20